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电子陶瓷基板的由来及应用

资讯来源: 发布日期:2018-11-09 14:17:52发布人:佳日丰泰小李

中国科学院上海硅酸盐研究所(SICAS)11月9日在上海举行了关于电子陶瓷材料发展的历史及由来的座谈会,内容丰富,主题新颖、前沿,引起了在座人员热烈的讨论。教授表示国外企业已经研发出了新型氮化硅陶瓷基板Si3N4,它的抗弯强度、断裂韧性都可以达到氮化铝的2倍以上,其陶瓷片的导热系数已经高到180W/m-k,具备较低的介电常数和介质损耗,可靠的绝缘性能,优良的力学性能,无毒,耐高温,耐化学腐蚀,且氮化铝与的热阻相接近。

氮化硅陶瓷片


   IGBT模块是各种逆变电源的心脏,在新能源汽车、大功率工程机械、智能家居、轨道交通、通讯设备、军工航天等领域应用广泛,而高强度、高导热的氮化铝基板IGBTM模板的关键性材料之一。

氮化硅陶瓷基片特点


下图为氮化硅陶瓷、氮化铝陶瓷氧化铝陶瓷性能对比
氮化硅陶瓷性能表


   在全球半导体技术朝着更大功率、电流、功率的方向发展,对于基片材料的要求也是越来越苛刻,而氮化硅陶瓷基片是集高导热率,高强度于一身的综合性能的优秀基板材料,氮化硅陶瓷基板必将是未来半导体器件陶瓷基片的发展趋势,为第三代半导体的发展提供坚实的基础。

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